关于MOSFET驱动电阻的选择

L为pCB走线电感，依据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。

Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。

Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。

VL+VRg+VCgs=12V

计算式

这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极萌生上下震荡的波形，这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。

依据以上得到

计算式

因此依据走线长度可以得到Rg最小取值范围。

等效驱动电路图

分别考虑20m长m和70mm长的走线：L20=30nH，L70=80nH，则Rg20=8.94Ω，Rg70=17.89Ω，

以下分别是电压电流波形：

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