晶体硅太阳能电池激光边缘绝缘化解决

伴随着晶体硅太阳能电池产业的稳步发展，激光一直被认为是提高电池质量和降低制造成本的紧要工具。激光出产在诸如激光烧蚀电极（LFC）、激光刻槽掩埋栅电极（LGBC）、以及M/EWT等使用增长显著，目前在晶体硅太阳能电池制造中使用最广泛的激光工艺之一是激光边缘绝缘解决。

c-Si电池制造过程中N型离子掺杂/扩散到p型硅基体形成微米级的N型掺杂膜层，这个膜层包围了整个晶圆片，从而造成了电池前后两面电极的分流，为了避免分流就非得对电池边缘进行绝缘化解决。

典型的激光边缘绝缘化解决是通过在尽可能靠近太阳能电池外缘的周围进行刻划沟槽来实现。为了获得最佳的绝缘效果，沟槽的深度非得大于离子扩散层，典型的沟槽深度为10-20um，宽度为20-40um。尽管Spectra-physics激光器产品中有众多型号能胜任绝缘解决工作，但是出产速度最快，质量最高的还是最新的调Q全固态激光器系列，其中首选为pulseo355-20。

声明： 本站所发布文章部分图片和内容自于互联网，如有侵权请联系删除