安谱隆半导体推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管

安谱隆半导体（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV50VLDMOS工艺的射频能量晶体管该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930MHzISM频段中的工业加热连续波（CW）射频能量使用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装，结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优点。此举减少了所需的空间，从而降低了放大器设计的成本。

由于其高工作效率通常高于68%，其冷却需求也保持在最低限度，这有助于进一步降低所需的空间。

BLF0910H9LS600具有高增益的优点其19.8dB的典型增益是在915MHzCWAB类使用中以50VVDS测得这有助于提高放大器的整体效率。

通过使用2个这种小型SOT502封装的600W晶体管，设计人员可以在与单个SOT539封装相同的空间中搭建出一个1.2kW的射频功率放大器。这种架构还有助于降低晶体管温度，从而有效实现比单个SOT539处理方案更高的效率。

BLF0910H9LS600集成了ESD保护和内部输入匹配。此匹配增加了晶体管的输入阻抗，简化了pCB匹配结构的设计，从而可实现紧凑的放大器设计。

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