东芝推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R

东京--东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFETSSM6N813R，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车使用，包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。.

100V的最大漏源极电压（VDSS）可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯使用，高抗静电能力为此提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造，使用TSOp6F封装，具备1.5W的准许功耗和低导通电阻。此外，TSOp6F的封装尺寸比SOp8封装小70%。

使用场合

汽车LED前照灯驱动器

特点

小型封装

高静电保护等级

低RDS（ON）

主要规格

技术专区安规的电源pCB的要求是什么？你了解吗？要怎么样提高动力电池能量密度_介绍动力电池提升能量密度的三大路对MOS管驱动电路一知半解？这里有你想要了解的一切常规贴片电容尺寸英制与公制尺寸对照表ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT“RGTV/RGW系

声明： 本站所发布文章部分图片和内容自于互联网，如有侵权请联系删除