高可靠性1700V全SiC功率模块

BSM250D17p2E004，1700V耐压产品的需求高涨，采用新的芯片涂覆材料和工艺办法，绝缘击穿，高温高湿反偏实验，HV-H3TRB，导通电阻降低10%。

ROHM面向以户外发电系统和充放电探测仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17p2E004”。

*截至2018年10月26日ROHM调查数据

需求高涨的1700V耐压全SiC功率模块

近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等范畴的使用日益广泛。系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，1700V耐压产品受可靠性等因素影响，迟迟难以推出SiC产品，目前主要使用IGBT。

此次开发的1700V模块采用新涂覆材料和新工艺办法，成功地防止了绝缘击穿，并抑制了漏电流的增加。另外，在高温高湿反偏实验中，呈现出极高可靠性，超过1，000小时也未发生绝缘击穿现象，从而成功推出了额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块。

在高温高湿环境下确保行业领先的可靠性

 

1700V全SiC功率模块BSM250D17p2E004通过采用新涂覆材料作为芯片的保护对策，并引进新工艺办法，使模块通过了高温高湿反偏实验（HV-H3TRB：HighVoltageHighHumidityHighTemperatureReverseBias）。

对BSM250D17p2E004和同等IGBT模块实行了HV-H3TRB高温高湿反偏实验，实验条件为在85℃/85%的高温高湿环境下，施加1360V。实验结果是IGBT模块比较早期出现绝缘劣化或绝缘击穿导致的漏电流增加现象，在1，000小时内发生了故障。而新开发的SiC功率模块即使超出1，000小时也未发生绝缘击穿，表现出极高的可靠性。

导通电阻更低，有助于进一步降低设备损耗

构成BSM250D17p2E004的SiCSBD（肖特基势垒二极管）和SiCMOSFET全部由ROHM加工。通过SiCSBD和SiCMOSFET的最佳组合配置，使导通电阻低于同等一般产品10%。这将非常有助于进一步降低使用的能耗。

SiC功率模块的产品阵容

声明： 本站所发布文章部分图片和内容自于互联网，如有侵权请联系删除