理光锂电保护芯片R5426原理及使用

如今便携式电子产品越来越受欢迎，其电池设备也成为关注的焦点，由于锂电池和聚合锂离子电池能量密度大、使用时间长、满足环保要求，已逐渐取代镍镉电池和镍氢电池，成为便携式设备的首选充电电池。理光锂电保护芯片R5426系列是为使用在便携设备(如蜂窝电话，pDA)的单节锂电池而设计的。

R5426系列是单节可充锂离子/聚合物电池的过充/放电/过电流保护芯片，它也包括一个短路电流保护器，避免外电路短路时的大电流。

R5426系列采用高耐压工艺制造，耐压不低于28V,封装为6-pin,SOT23-6或SON-6,具有低耗电,(供电电流典型值3.0uA,待机电流典型值0.1uA),高精度的测试器阀值，多种保护极限器阀值,内置输出延时,还有0V可充功能,具有过充保护后锁定功能.

R5426系列的原理框图如图1。

每个IC有四个电压测试器，一个参考电路单元，一个延时电路，一个短路保护器，一个振荡器、计数器和一个逻辑电路组成。当充电电压或充电电流由小变大，超过这两者相应测试器(VD1、VD4)的阀值电平时，输出引脚Cout，即过充电保护测试器/VD1和充电过流测试器/VD4的输出电压经过内部相应延时就转为低电平。在过充或充电过流之后，电池组离开充电器并有负载连接到VDD，并当电池的电压降到过充测试值之下时，这两个相应测试器(VD1、VD4)被复位并且Cout的输出变为高电平。如果电池组仍在充电器上，即使电池的电压降到过充测试值之下时，过充保护状态仍不会解除。

DOUT脚为过放电测试器(VD2)和放电过流测试器(VD3)的输出脚。当放电电压由高向低，且低于过放电测试器的阀值电压VDET2，即低于VDET2时，DOUT脚在经过内部固定延时后就转低电平。

在测试到过放后，如将充电器与电池包相连接，并当电池供电电压高于过放电电压测试器的阀值电压时，VD2被释放并且DOUT变成高电平。

内置过流/短路测试器VD3可以感应到放电过电流的状态，并经过内置的固定延时后，通过输出端DOUT变为低电平而切断放电；或测试到短路电流时使DOUT的值立即变低从而切断放电。一旦测试到过电流或短路后，可将电池组与负载分离，VD3被释放并且DOUT电平变为高。

另外，在测试到过放电后，芯片将暂停内部电路工作以维持在极低的耗电水平。通过将DS端设到与VDD相同的电平，能将以上保护延时(除短路保护)缩短。尤其是过充保护延时会缩短为1/90，因而探测保护电路的时间可缩短。而且，当DS端的电平设置在某一范围内，输出延时会取消，这样一来，过充和过充电流立即会被测试到。此时的延时约为不超过几十微秒。

本着节省使用成本的原则，R5426系列只需很少的外围器件即可构成完整的功能。其使用电路图如图2。

R1、C1稳定R5426的供电。推荐R1小于1K。

R1过高会使测试值偏高，导致误差。R1和R2也用于戒备反充和充电电压过高对芯片的损害。R1和R2过小，会导致电池组的自消耗过大。所以，R1和R2两电阻之和应等于或大于1K。

另外，R2过大，当电池组过放，将电池组放在充电器上会不易恢复。提议R2的值小于或等于30K。

本芯片的封装形式有SOT23-6和SON-6。

R5426拥有如此小的封装,使得芯片在pCB上高密度的排布成为可能，更有利于在极小的pCB上使用。

R5426具有RF射频抗干扰能力，众所周知当锂电用于手机及其他射频设备上时，锂电保护芯片的RF抑制性能将笔直影响到整个产品的稳定性。

R5426的工作温度可以达到中国的高温军标,即在125℃下连续工作48小时不出现故障,故R5426也可以使用在某些军用产品上,能轻而易举地满足国内任何地区的使用环境温度要求。

理光的锂电保护芯片R5426系列,拥有以上出色的性能,可以广泛的使用在高精度的手机锂离子电池,和pDA单节锂离子电池,还有军用单节锂电产品,随着锂离子电池在便携式设备和其他电子产品中更广泛的使用,锂电保护芯片R5426系列也将发挥更大的作用。■

声明： 本站所发布文章部分图片和内容自于互联网，如有侵权请联系删除