功率MOSFET使用于开关电源留意的问题

功率MOSFET使用于开关电源时应留意以下几个问题。

（1）栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。

（2）直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，要降低驱动电路阻抗。

（3）并联工作时容易出现高频振荡。

（4）导通时电流冲击大，易出现过电流。

（5）很多情况下，不能原封不动地用于双极型晶体管的自激振荡电路。

（6）寄生二极管的反向恢复时间长，很多情况下与场效应晶体管开关速度不平衡。

（7）开关速度快而出现噪声，容易使驱动电路误动作，特别是开关方式为桥接电路、栅极电路的电源为浮置时，易发生这种故障。

（8）漏极－栅极间电容极大，漏极电压变化容易影响输入。

（9）加有负反馈，热稳定性也比双极型晶体管好，但用于电流值较小情况下不能获得这种效果。

（10）理论上没有电流聚集而出现二次击穿，但寄生晶体管因du／dt受到损坏，从而场效应晶体管也受到损坏。

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