一种可控硅驱动芯片烧毁的分解

现如今依赖可控硅驱动已经变得较为普遍。但随着可控硅驱动使用的频繁，一些在使用当中的问题也逐渐暴露出来，比如在一些可控硅驱动电路中加上芯片之后，芯片就会无端烧毁。本文就将从实例出发，解析一种可控硅驱动电源芯片烧毁的情况并进行分解。

图1

电路如图1所示，板子焊好后单片机先输出脉冲探测硬件回路，但驱动回路一上电，ULN2003便会烧毁，使用ULN2003的设计很多，但为甚么这个设计的却会烧毁呢?难道在软件上要做解决?还是电路有问题?

上电时脉冲封闭，所以不会烧，但只要打开脉冲就会烧毁，对脉冲变压器的原边电阻进行测量，数值惟有7-8欧，通过计算之后电流肯定超过了ULN2003的500mA，通过把脉冲变窄，但还是烧芯片。是不是要在原边串联一个限流电阻呢?

下面对以上的例子进行分解。首先负载已经过重，串电阻限流。倘若变压器本身的额定工作电压就是24V，那么应采用分立的功率晶体管驱动。变压器的额定工作电压就是24V，在串电阻限流后，脉冲没那有输入那么宽，只能采用分立的功率晶体管驱动。

在24V供电的情况下，ULN2003的负载是3:1的触发变压器，因为可控硅触发电压是7V。此电路的关键之处是2003输出低电平时间是几十微秒(详尽数值参看可控硅触发变压器说明书)量级的，倘若到了微秒一级，触发变压器饱和电流快速增大，2003烧毁是非得的，不存在幸存的任何可能。

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