多晶硅光电池

p-Si（多晶硅，包括微晶）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p-Si光电池转换效率为15.3％，经减薄衬底，增强陷光等出产，可提高到23.7％，用CVD法制备的转换效率约为12.6-17.3％。采用廉价衬底的p-Si薄膜生长办法有pECVD和热丝法，或对a-Si：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8％和9.2％的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a-Si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％。大面积低温p-Si膜与-Si组成叠层电池结构，是提高a-S光电池稳定性和转换效率的紧要途径，可更充足利用太阳光谱，理论计算声明其效率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池性能萌生冲破性进展。铜铟硒光电池

CIS（铜铟硒）薄膜光电池已成为国际光伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已达到17.7％），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2?3μm，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用。现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备办法，其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜。妨碍其发展的原由是工艺重复性差，高效电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分解仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在将来能源市场中的前景和所处地位，积极张大开发规模，着手组建中试线及制造厂。

声明： 本站所发布文章部分图片和内容自于互联网，如有侵权请联系删除