LED驱动电源设计分解

LED驱动电源的设计并不难，但是心里一定要先规划好。

只要做到调试前计算，调试时测量，调试后老化，相信谁都可以搞好LED。

1、LED电流大小

大家都了解LEDripple过大的话，LED寿命会受到影响，影响有多大，也没见过哪一个专家说过。

2、芯片发热

这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。

倘若芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，非得想方法降低c、v和f。

如果c、v和f不能改变，那么请想方法将芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。

3、功率管发热

关于这个问题，也见到过有人在论坛发过贴。

功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。

要留意，大多数场合特别是LED市电驱动使用，开关损害要远大于导通损耗。

开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要处理功率管的发热可以从以下几个方面处理：A、不能片面依据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。

如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。B、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。

频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是否频率选择的有点高。

想方法降低频率吧!不过要留意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。

4、工作频率降频

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。

对于前者，留意不要将负载电压设置的太高，虽然负载电压高，效率会高点。

对于后者，可以尝试以下几个方面：

a、将最小电流设置的再小点；

b、布线干净点，特别是sense这个关键路径；

c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感；

d、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，不过对于照明来说应当够了。

无论要怎么样降频没有好处，惟有坏处，所以一定要处理。

5、电感或者变压器的选择

相同的驱动电路，用a加工的电感没有问题，用b加工的电感电流就变小了。

遇到这种情况，要看看电感电流波形。

有的工程师没有留意到这个现象，笔直调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流，这样做可能会严重影响LED的使用寿命。

所以说，在设计前，合理的计算是非得的，如果理论计算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是不是降频和变压器是不是饱和。

变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着增加。在均匀电流不变的前提下，只能看着光衰了。

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