半导体激光管(LD)的电源系统设计

半导体激光管(LD)和一般二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。二极管激光器对它的驱动电源有十分严格的要求；输出的直流电流要高、电流稳定及低纹波系数、高功率因数等。随着激光器的输出功率不断加大，要高性能大电流的稳流电源来驱动。为了保证半导体激光器正常工作，要对其驱动电源进行合理设计。并且随着高频、低开关阻抗的MOSFET技术的发展，采用以MOSFET为核心的开关电源出现，开关电源在输出大电流时，纹波过大的问题得到知道决。1系统构成装置输入电压为24V，输出最大电流为20A，依据串联激光管的数量输出不同电压。倘若采用交流供电，前端应当采用AC／DC作相应的变换。该装置紧要部分为同步DC／DC变换器，其原理图如图1所示。

Vin为输入电压，VM1、VM2为MOSFET，VM1导通宽度决定输出电压大小，快恢复二极管和VM2共同续流电路，整流管的导通损耗占据最紧要的部分，因此它的选择至关紧要，实验中选用通态电阻很低的M0SFET。电感、电容组成滤波电路。测量电阻两端电压与给定值比较后，通过脉冲发生器出现相应的脉宽，保持负载电流稳定。VM1关断，快恢复二极管工作，快恢复二极管通态损耗大，VM2接着开通续流，减少系统损耗。2工作原理VM1导通ton时，可得：，电流纹波为：，VM1关断，电流通过VD续流，接着VN2导通。由于VM2的阻抗远小于二极管阻抗，因此通过VM2续流。VMl、VN2触发脉冲如图2所示。图2中td为续流二极管导通时间。

二极管消耗的功率为p=VtdI0。一般快恢复二极管压降0．4V，当电流20A时，二极管消耗功率为0．8W。如采用MOSFET，则消耗的功率将小很多。本试验采用威世半导体公司的60A的MOSFET，其导通等效电阻为0．0022Ω。当电流为20A时，消耗功率约为0．088W。由电流纹波公式可知，增大电感、减小ton都可以减小纹波。为了不提高电感容量，试验中采用200kHz的工作频率，其中电感选用4．8-H，依据公式可得激光管压降2V时纹波电流约为1000mA。系统采用了电流负反馈电路，以适应激光二极管的要求。当负载变化，电流略大于给定电流时，减小ton宽度，电压降低。电流略小于给定电流时，新增ton宽度，这样可以维持电流稳定。图3所示为脉冲发生器结构。

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